功能描述：TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

制造商：epc

系列：eGaN?

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：2 个 N 通道（半桥）

FET 功能：GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：10A（Ta），40A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：4.9nC @ 15V，19nC @ 15V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：475pF @ 15V，1960pF @ 15V

功率 - 最大值：-

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：模具

供应商器件封装：模具

标准包装：1

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